4473.com

最新通知公告:2022 年上半年咨询工程师(投资)执业登记工作安排
业务交流 您当前的位置 :4473.com >业务交流 >业务交流
中国科学家晶体管开发取得突破
发布:新华网 时间:2013/8/9

    新华网华盛顿8月8日电(记者林小春)中国研究人员8日在美国《科学》杂志上报告说,他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破,发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件,可让数据擦写更容易、迅速,整个过程都可在低电压条件下完成,为实现芯片低功耗运行创造了条件。

    研究负责人、复旦大学教授王鹏飞对新华社记者说:“我国集成电路产业主要依靠引进和吸取国外成熟的技术,在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管作为一种新型的微电子基础器件,它的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术,从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”

    据王鹏飞先容,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流器件,过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小,越来越接近其物理极限,基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管的前瞻研究就是在这种情况下展开。

    他说,半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置——隧穿场效应晶体管(TFET)制成。半浮栅晶体管的优势在于体积可更小,结构更简单,读写速度更快,且一片这样的晶体管的功效可比得上多块MOSFET晶体管。

    半浮栅晶体管不但能应用于存储器,还可应用于主动式图像传感器芯片(APS),让新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上,并使图像传感器的分辨率和灵敏度得到提升。

    对于这项技术的产业化前景,王鹏飞说,新型器件往往还需要经过深入研究、性能优化等大量工作才能逐步实现产业化,目前针对这个器件的优化和电路设计工作已经开始。

关闭窗口】     【打印
Copyright @ www.hnaec.org All Rights Reserved  湖南省工程咨询协会 版权所有
地址:长沙市雨花区人民东路46号 铭诚国际五楼519-522室 邮政編码410016
电话:0731-82223916,84412557 网址: www.hnaec.org
湘ICP备12013286号
XML 地图 | Sitemap 地图